碳化硅陶瓷的特种制备烧结技术

SiC具有α和β两种晶型。β－SiC的晶体结构为立方晶系，Si和C分别组成面心立方晶格；α－SiC存在着4H、15R和6H等100余种多型体，其中，6H多型体为工业应用上为普遍的一种。在SiC的多种型体之间存在着一定的热稳定性关系。在温度低于1600℃时，SiC以β－SiC形式存在。当高于1600℃时，β－SiC缓慢转变成α－SiC的各种多型体。4H－SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型体均需在2100℃以上的高温才易生成；对于6H－SiC，即使温度超过2200℃，也是非常稳定的。SiC中各种多型体之间的自由能相差很小，因此，微量杂质的固溶也会引起多型体之间的热稳定关系变化。

2.4研磨和抛光：在工业生产的某些领域,仅靠磨削是达不到工程陶瓷件表面光洁度要求的，通常要采用研磨和抛光。另-方面，工程陶瓷材料韧性较小,脆性较大,其强度很容易受表面裂痕的影响。但加工工艺往往造成加I表面材料有许多微裂纹,裂纹往往引|起应集中,使裂纹末端应力更大。当该处应力超过裂纹扩展临界值时裂纹便扩展引起工件的破坏。加工表面愈粗糙,表面裂纹愈大,愈易产生应力集中，工件强度愈低。

因此,研磨不仅是为了达到一定的粗糙度和高的形状精度,而且也是为了提高工件的强度。研磨工程陶瓷用的磨料主要是B4C和金刚石粉。在研磨加工中,研磨参数选择合理时可以达到1Lm/m的形状精度和Ra<0.3Lm的粗糙度。抛光是采用软质抛光器和细粉磨粒以较低的压力作用于工件的一种精加工过程。软质抛光器以弹塑性方式保持着磨粒对加工工件的切深非常浅，通过产生微小的压痕进行加工。近几年抛光技又有了新的发展,如超声抛光、电加工复合抛光等。